大电流IGBT芯片的终端可靠性研究

作     者：蒋兴莉 胡强 王思亮 张中伟 马克强 孔梓玮 JIANG Xingli HU Qiang WANG Siliang ZHANG Zhongwei MA Keqiang KONG Ziwei

作者机构：东方电气集团中央研究院成都611731 

出 版 物：《东方电气评论》 (Dongfang Electric Review)

年 卷 期：2017年第31卷第2期

页      码：1-5页

摘      要：针对大电流IGBT的耐压可靠性问题,对平面结终端技术及表面钝化的设计与工艺匹配性进行了研究。设计了一款1 200 V IGBT用FLR+FP混合终端,利用仿真软件研究了各结构参数对终端耐压的影响,将此终端用在1 200 V/100 A IGBT芯片上进行流片验证,并进一步研究钝化工艺对终端耐压及可靠性的影响。改良后的终端结构击穿电压可达1 460 V,可靠性得到显著提高,且具有更强的抗污染能力。

主 题 词：功率器件 终端技术 钝化工艺 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13661/j.cnki.issn1001-9006.2017.02.001

馆 藏 号：203233332...