MOSFET缓冲保护电路的改进型设计

作     者：张军迪 李智 张绍荣 牛军浩 

作者机构：桂林电子科技大学电子工程与自动化学院 桂林航天工业学院电子信息与自动化学院 

基　　金：国家自然科学基金(61361006) 广西自然科学基金(2015GXNSFBA139251) 广西自动测试技术与仪器重点实验室基金项目(YQ14203 YQ14112) 

出 版 物：《电气应用》 (Electrotechnical Application)

年 卷 期：2017年第36卷第9期

页      码：81-85页

摘      要：低电压大电流逆变电路的缓冲保护电路的设计非常重要。本设计是在传统的RCD放电阻止型吸收电路的基础上加以改进,提高传统RCD缓冲保护电路的过电压吸收能力,改进后的电路结构简单且有很高的通用性。本设计结合动力逆变电路具体情况,设计出高效、简单及可靠的过电压防护电路,通过实验验证改进型RCD缓冲电路大幅度减小浪涌电压符合设计需要。

主 题 词：缓冲保护 浪涌电压 MOSEFT 逆变电路 

学科分类：080903[080903] 080801[080801] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203233391...