互补式金氧半(CMOS)集成电路的静电放电防护方法研究

作     者：夏继军 XIA Ji-jun

作者机构：黄冈职业技术学院湖北黄冈438002 

基　　金：2015湖北省软科学课题项目(2015SK0201) 

出 版 物：《激光杂志》 (Laser Journal)

年 卷 期：2017年第38卷第6期

页      码：140-143页

摘      要：在纳米CMOS集成电路中,静电放电(ESD,electrostatic discharge)防护能力随着组件的尺寸缩减而大幅地降低,传统的ESD防护电路设计及方法已不堪使用,所以在纳米制程中ESD防护组件的防护电路设计必需更加以改良。本文针对一个具有初始导通特性的片上(纯净)(already-on(native))NMOS(N-Metal-Oxide-Semiconductor,N沟道金属氧化物半导体)组件,研究其ESD组件特性,提出了其在纳米CMOS集成电路上的创新应用,提出already-on(native)组件的全芯片ESD防护电路架构,设计了全新的ESD防护电路。

主 题 词：CMOS集成电路 ESD防护 Already-on(native)NMOS组件 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.14016/j.cnki.jgzz.2017.06.140

馆 藏 号：203233549...