一种低相位噪声2~N分频器的设计

作     者：徐佳丽 何峥嵘 XU Jia-li;HE Zheng-rong

作者机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2006年第36卷第3期

页      码：370-372,376页

摘      要：介绍了一种低相位噪声2N分频器的设计。该电路采用0.35μm BiCMOS SiGe工艺制作。1 kHz频偏下的相位噪声为-150 dBc/Hz,大大低于传统的分频器;在-55~125℃温度范围内,电路的工作频带为20 MHz^2.4 GHz,功耗电流约40 mA。数据输入端S0、S1、S2控制电路的分频比在21~28间变化,数据输入端与TTL/CMOS电平兼容。

主 题 词：低相位噪声 分频器 BiCMOS SiGe 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-3365.2006.03.030

馆 藏 号：203233638...