MOSFET虚拟高阻值电阻的研究

作     者：支瑞卿 吴秋新 李严 ZHI Ruiqing WU Qiuxin LI Yan

作者机构：北京信息科技大学北京100192 

基　　金：国家自然科学青年基金资助项目(61204037) 国家自然科学青年基金资助项目(61604014) 北京市教委科研计划面上项目(KM201611232019) 

出 版 物：《集成电路应用》 (Application of IC)

年 卷 期：2017年第34卷第6期

页      码：28-32页

摘      要：以小型、微型医疗设备为应用目标,针对用于生理信号处理的模拟前端集成电路设计这一环节所遇到的实现低截止频率的问题进行了研究,给出了实现低截止频率的重要思路,即用金属-氧化物-场效应晶体管(MOSFET)实现高阻值的虚拟电阻。文中介绍了MOSFET虚拟高阻值电阻的原理,针对几种MOSFET虚拟电阻进行了仿真和分析,并且在基本RC滤波器中进行了性能验证,仿真结果显示,MOSFET虚拟电阻的等效值可以在1010Ω以上。

主 题 词：微型医疗设备 集成电路 虚拟电阻 低截止频率 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.19339/j.issn.1674-2583.2017.06.007

馆 藏 号：203233708...