不同衬底条件对MEMS压阻传感器性能的影响

作     者：隋鸿鹏 张威 SUI Hong-peng;ZHANG Wei

作者机构：北京大学微电子学研究院北京100871 

出 版 物：《纳米技术与精密工程》 (Nanotechnology and Precision Engineering)

年 卷 期：2008年第6卷第3期

页      码：199-201页

摘      要：为了研究不同衬底条件对MEMS压阻传感器性能的影响，采用3种掺杂条件的衬底进行实验测试．在各步骤热过程后，对3种衬底条件下压阻区、引出区和保护框的方块电阻进行了测量和分析．通过对各部分方块电阻的测量可以看出，对于压阻区（P^-区），A#和B#的方块电阻在开始注入扩散时相差很小，而由于注入杂质在高温下进一步扩散，衬底掺杂浓度对扩散后杂质分布的影响加大，方块电阻在后续的热过程中差别增大．通过比较不同衬底条件下各个热过程后的压阻数据，发现在3种掺杂条件中，20～40Ω·cm的衬底最符合预期压阻的设计．此结论已用于指导实际产品生产．

主 题 词：微机电系统(MEMS) 压阻 传感器 衬底 

学科分类：0817[工学-轻工类] 080202[080202] 08[工学] 0807[工学-电子信息类] 0804[工学-材料学] 0802[工学-机械学] 0703[理学-化学类] 0811[工学-水利类] 0801[工学-力学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1672-6030.2008.03.009

馆 藏 号：203233749...