氧化槽隔离型RC-IGBT的设计与仿真

作     者：马丽 李伟 李佳豪 谢加强 康源 王馨梅 MA Li;LI Wei;LI Jiahao;XIE Jiaqiang;KANG Yuan;WANG Xinmei

作者机构：西安理工大学理学院西安710054 西安理工大学自动化与信息工程学院西安710048 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61575158) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2017年第37卷第3期

页      码：195-200页

摘      要：提出了一种新型的RC-IGBT器件,相比于常规RC-IGBT,新型的RC-IGBT在集电极侧引入了一个类似于栅极的多晶硅沟槽结构,不同之处是沟槽底部结构没有氧化层将多晶硅与硅体区相隔离,于是可将此重掺杂的多晶硅区作为新型的RC-IGBT的集电极的N+短路区,故称为TO-RC-IGBT(Trench oxide reverse conducting IGBT)。由于集电极P+阳极层与N+短路区之间的氧化层隔离,TO-RC-IGBT并未出现常规RC-IGBT导通时的回跳现象。为了避免产生回跳现象,常规RC-IGBT的元胞宽度通常达数百微米,而TO-RC-IGBT元胞宽度只有20μm,因而TO-RC-IGBT不会出现常规RC-IGBT的反向电流分布不均匀的问题。

主 题 词：逆导型绝缘栅双极场效应晶体管 回跳现象 器件仿真 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.19623/j.cnki.rpsse.2017.03.011

馆 藏 号：203233854...