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一种降低DRAM系统刷新功耗的混合主存设计

一种降低DRAM系统刷新功耗的混合主存设计

作     者:杨凯 赵彦卿 徐娟 薛晓勇 林殷茵 YANG Kai ZHAO Yanqing XU Juan XUE Xiaoyong LIN Yinyin

作者机构:复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 

出 版 物:《复旦学报(自然科学版)》 (Journal of Fudan University:Natural Science)

年 卷 期:2017年第56卷第3期

页      码:328-335页

摘      要:传统计算机体系结构中主存由动态随机存取存储器(DRAM)构成,而DRAM的刷新功耗随容量的增大而急剧增大.为应对这一问题,业界开始关注新型非易失性存储器(NVM).NVM具有掉电后数据不会丢失、不需刷新的优势,然而它们仍然处于研究阶段,单颗芯片的容量和价格不足以媲美DRAM,距离大批量投入商用仍有一段距离,因此,DRAM和NVM的新型混合主存结构被认为是下一代主存.本文提出一种SignificanceAware Pages Allocation(SA-PA)混合主存设计方案,通过将关键页分配到DRAM中,非关键页分配到相变存储器(PCM)中,采用DRAM和PCM并行结构,并采用Reset-Speed技术提高PCM的写速度,从而实现在不过分降低系统性能的前提下降低系统功耗的目的.结果表明,本文提出的SA-PA混合主存结构使得系统功耗平均下降25.78%,而系统性能仅下降1.34%.

主 题 词:动态随机存储器 相变存储器 混合主存结构 刷新功耗 页分配 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录:

D O I:10.15943/j.cnki.fdxb-jns.2017.03.009

馆 藏 号:203233872...

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