SiC MOSFET在感应加热电源中的应用

作     者：彭咏龙 史孟 李亚斌 江涛 Peng Yonglong;Shi Meng;Li Yabin;Jiang Tao

作者机构：华北电力大学电气与电子工程学院河北保定071003 

出 版 物：《电测与仪表》 (Electrical Measurement & Instrumentation)

年 卷 期：2017年第54卷第12期

页      码：112-116页

摘      要：目前,感应加热电源技术主要朝着大功率、高频率和智能化控制技术的方向发展。然而,随着逆变开关频率的提高,功率器件的开关损耗随之增加。具有高临界雪崩击穿电场强度、高热导率、小介电常数等突出优点的宽禁带半导体材料SiC MOSFET的应用为这一问题的解决提供了理想的方案。本文详细研究了感应加热电源逆变器的设计、SiC MOSFET器件的驱动电路以及电源的功率扩展等问题;开发出了频率超过800 kHz,单逆变桥功率超过50k W的新型感应加热电源;通过并桥处理,电源单机容量可达200 kW,在一定程度上填补了将新型SiC MOSFET器件应用于感应加热领域的空白。

主 题 词：SiC MOSFET 高频 感应加热 

学科分类：080804[080804] 080805[080805] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-1390.2017.12.019

馆 藏 号：203233890...