氮化硅的ECCP刻蚀特性研究

作     者：白金超 王静 赵磊 张益存 郭会斌 曲泓铭 宋勇志 张亮 BAI Jin-chao WANG Jing ZHAO Lei ZHANG Yi-cun GUO Hui-bin QU Hong-ming SONG Yong-zhi ZHANG Liang

作者机构：北京京东方显示技术有限公司北京100176 

出 版 物：《液晶与显示》 (Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays)

年 卷 期：2017年第32卷第7期

页      码：533-537页

摘      要：本文对氮化硅的增强电容耦合等离子刻蚀进行研究,为氮化硅刻蚀工艺的优化提供参考。针对SF_6+O_2气体体系,通过设计实验考察了功率、压强、气体比、氦气等对刻蚀速率和均一性的影响,并对结果进行机理分析和讨论。实验结果表明:功率越大,刻蚀速率越大,与源极射频电力相比,偏置射频电力对刻蚀速率的影响更为显著;压强增大,刻蚀速率增大,但压强增大到一定程度后,刻蚀速率基本不变,刻蚀均匀性随着压强增大而变差;在保证SF_6/O_2总流量保持不变下,O_2的比例增大,刻蚀速率先增大后减小,刻蚀均匀性逐步变好;He的添加可以改善刻蚀均匀性,但He的添加量过多时,会造成刻蚀速率降低。

主 题 词：氮化硅 增强电容耦合等离子刻蚀 刻蚀速率 

学科分类：0810[工学-土木类] 0808[工学-自动化类] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0804[工学-材料学] 0805[工学-能源动力学] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/YJYXS20173210.0533

馆 藏 号：203233902...