Ku波段12 W GaAs pHMET功率MMIC

作     者：叶显武 YE Xianwu

作者机构：海军驻南京地区电子设备军事代表室南京210039 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2017年第37卷第3期

页      码：182-186页

摘      要：报道了一款采用0.25μm GaAs功率MMIC工艺研制的Ku波段功率放大器芯片。芯片采用三级放大拓扑结构,末级输出匹配电路按照高效率设计,同时优化前后级推动比控制前级电流。级间采用有耗匹配电路设计,提高大信号状态下的稳定性。在16~18GHz频带范围内漏压8.5V、脉宽1μs、占空比40%的工作条件下线性增益大于25dB;饱和输出功率大于12 W,饱和效率大于32%,功率增益大于21dB,功率增益平坦度小于±0.5dB。芯片尺寸为3.5mm×4.6mm。

主 题 词：GaAs功率放大器 Ku波段 微波单片集成电路 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.19623/j.cnki.rpsse.2017.03.008

馆 藏 号：203233904...