基于RadFET的宽范围电离总剂量效应监测系统及试验研究

作     者：安恒 杨生胜 薛玉雄 把得东 张晨光 AN Heng;YANG Sheng-sheng;XUE Yu-xiong;BA De-dong;ZHANG Chen-guang

作者机构：兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验甘肃兰州730000 

出 版 物：《计量学报》 (Acta Metrologica Sinica)

年 卷 期：2016年第37卷第Z1期

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摘      要：设计了一种基于辐射剂量传感器(RadFET)的辐射总剂量监测系统,并利用60Co-γ射线和电子加速器对金属氧化物半导体(MOS)结构的RadFET进行了电离总剂量效应模拟试验,得到了器件阈值电压随辐照剂量的变化情况.结果表明,该器件具有良好的抗辐射能力,累积剂量可达到1.0 ×105 Gy,同时,在空间应用时需重点考虑阈值电压、环境温度以及击穿电压等敏感参数.

主 题 词：计量学 辐射剂量传感器 电离总剂量效应 实时监测 空间辐射 

学科分类：08[工学] 080402[080402] 0804[工学-材料学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-1158.2016.z1.13

馆 藏 号：203237244...