一种用于MEMS电场传感器的CMOS可控增益前置放大电路

作     者：崔国平 杨海钢 夏善红 尹韬 李策 CUI Guo-ping;YANG Hai-gang;XIA Shan-hong;YIN Tao;LI Ce

作者机构：中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2007年第30卷第3期

页      码：837-840页

摘      要：为了将基于MEMS技术的微型电场传感器与其信号处理电路集成在一个芯片上,设计了一种CMOS前置放大电路.该电路利用工作在线性区的长沟道MOSFET晶体管代替传统的无源器件做反馈来降低所占硅片面积,使用分流原理构建分流网络产生可编程的偏置电流来控制放大电路的增益.仿真结果表明该电路结构具有较好的线性度和很好的温度特性,长沟道晶体管的等效电阻与偏置电流相关,可以达到兆欧量级.

主 题 词：CMOS 可控增益 长沟道晶体管 MEMS电场传感器 前置放大 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2007.03.028

馆 藏 号：203239965...