半导体非线性光学材料的第一性原理研究

作     者：姜晓庶 WalterR．L．Lambrecht 

作者机构：山西大学物理电子工程学院山西太原030006 Physics Department Case Western Reserve University Cleveland Ohio USA 

基　　金：基金项目:国家自然科学基金资助项目(10604040) 山西省青年科技基金资助项目(2007021002) 

出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期：2007年第38卷第A1期

页      码：334-336页

摘      要：通过第一性原理研究Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2族CKP半导体中的CdSiAs2，计算了其双折射性，量化了双折射性同应力的线性关系，它的负双折射性使之能够通过应力、温度调节以及同CdGeAs2混合来设计非临界位相匹配材料。计算显示，少量的参杂Ge（ 〈5％），能够实现非临界位相匹配I类二次谐波产生（SHG）在CO2激光谱线范围可调谐，它可能具有很高的有效χ^（2）。

主 题 词：非线性光学材料 非临界位相匹配 密度泛 函理论 

学科分类：080903[080903] 07[理学] 0809[工学-计算机类] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

馆 藏 号：203240096...