DC～30GHz并联接触式RF MEMS开关的设计与制造

作     者：侯智昊 刘泽文 李志坚 HOU Zhi-hao;LIU Ze-wen;LI Zhi-jian

作者机构：清华大学微电子学研究所北京100084 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.60576048) 国家973重点基础研究发展规划资助项目(No.2007CB310500) 

出 版 物：《光学精密工程》 (Optics and Precision Engineering)

年 卷 期：2009年第17卷第8期

页      码：1922-1927页

摘      要：对适用于DC～30GHz频率的并联接触式RF MEMS开关的设计与制造进行了研究。利用低应力电镀Au桥膜作为上电极,实现了接触电极之间的Au-Au接触。使用BorofloatTM玻璃作为衬底,并用隔离电阻对内置射频信号与驱动电极旁路进行隔离;通过对上电极桥膜与CPW间距的优化设计,使开关具有较低的插入损耗。所设计制造的并联接触式RF MEMS开关的下拉电压为60V,上下电极的接触电阻为0.1Ω。插入损耗为-0.03dB@1GH,-0.13dB@10GHz和-0.19dB@20GHz,在DC～30GHz的插入损耗都-23dB。测试结果表明,所设计的并联接触式RF MEMS开关适用频率为DC～30GHz,是一种应用频率范围较宽的RF MEMS开关。

主 题 词：微机电系统 RF MEMS开关 并联接触 

学科分类：080903[080903] 080801[080801] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1004-924X.2009.08.022

馆 藏 号：203240831...