单片分布式放大器的研制

作     者：严蘋蘋 陈继新 洪伟 YAN Pin-Pin;CHEN Ji-Xin;HONG Wei

作者机构：东南大学信息科学与工程学院毫米波国家重点实验室南京210096 

基　　金：国家重点基础研究发展计划(2010CB327400) 东南大学毫米波国家重点实验室自主创新课题(Z200912) 

出 版 物：《微波学报》 (Journal of Microwaves)

年 卷 期：2010年第26卷第4期

页      码：74-77页

摘      要：采用0.15μm GaAs pHEMT工艺,研制了单级和两级两种结构的微波毫米波单片分布式放大器。在设计中采用电阻-电容结构代替传统分布式放大器中的终端电阻以降低直流功耗,在输入端加入短路线增强静电保护。根据应用需求设计了相应的放大器电路结构,实现了两种分布式放大器,比较了这两种结构在增益与功率容限方面的特点。第1种分布式放大器采用单级四管结构,在10~40GHz频段内,增益为（9.4±1.1）dB,1dB压缩点最大输出功率为21.5dBm;第2种分布式放大器采用两级双管级联结构,在15~40GHz频段内,增益为（12.2±1.4）dB,1dB压缩点最大输出功率为17dBm。

主 题 词：分布式放大器 砷化镓 微波 毫米波 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.14183/j.cnki.1005-6122.2010.04.010

馆 藏 号：203241227...