基于Klarite芯片的表面增强拉曼散射特性研究

作     者：王俊俏 朱双美 何金娜 程永光 范春珍 蔡根旺 梁二军 WANG Jun-qiao;ZHU Shuang-mei;HE Jin-na;CHENG Yong-guang;FAN Chun-zhen;CAI Gen-wang;LIANG Er-jun

作者机构：郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室郑州450052 

基　　金：国家自然科学基金(10974183) 

出 版 物：《光散射学报》 (The Journal of Light Scattering)

年 卷 期：2012年第24卷第1期

页      码：17-22页

摘      要：本文介绍了一种商用的表面增强拉曼芯片(Klarite),并对其表面形貌、拉曼活性进行了表征和测试分析。Klarite芯片由于独特的倒金字塔形设计使得其具有较好的拉曼活性、稳定性和重现性,为生命科学和分析化学研究提供了有力的研究工具。此外,我们对Klarite芯片在外电磁场作用下的表面电场分布进行了模拟,发现一个结构单元中存在多个"热点"区域,并且最大电磁场的增强随着倒置金字塔的高度h改变而变化,当h为600nm时,电磁场增强达到最大,约为25倍。

主 题 词：Klarite芯片 表面增强拉曼散射 电场增强 

学科分类：07[理学] 08[工学] 070302[070302] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0703[理学-化学类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-5929.2012.01.004

馆 藏 号：203242047...