新型ENEPIG封装基板化学镀钯工艺优化

作     者：于金伟 YU Jinwei

作者机构：潍坊学院山东潍坊261061 

基　　金：国家星火计划项目(2011GA740047) 山东省自然科学基金项目(ZR2012EML03) 山东省国际科技合作计划项目(201013) 山东省高等学校科技计划项目(J12LA57) 山东省星火计划项目(2011XH06025) 

出 版 物：《电镀与精饰》 (Plating & Finishing)

年 卷 期：2016年第38卷第1期

页      码：14-19页

摘      要：化学镀钯是制作新型ENEPIG印制电路板最关键的工艺,从化学镀钯反应机理入手,分析了影响质量的工艺参数,运用实验设计中健壮设计的实验方法,对工艺参数进行了优化,找到了新型ENEPIG印制电路板中化学镀钯的最优工艺参数:2.2 g/L氯化钯,13.2 g/L次磷酸钠,165 m L/L氢氧化铵,33 g/L氯化铵,镀液θ为55℃,pH为9.6。验证试验表明,应用改善后的镀钯工艺,钯的沉积速率明显加快,集中度也得到显著提高。

主 题 词：印制电路板 化学镀钯 工艺 参数优化 

学科分类：081702[081702] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-3849.2016.01.004

馆 藏 号：203243764...