硅集成压力传感器设计

作     者：贺水燕 彭万里 HE Shui-yan 1, PENG Wan-li 2 (1.Department of Physics, Xiangtan Normal University, Xiangtan 411201,China;2. Department of Physics, Xiangtan University, Xiangtan 411105,China)

作者机构：湘潭师范学院物理系湖南湘潭411201 湘潭大学物理系湖南湘潭411105 

出 版 物：《湘潭师范学院学报（自然科学版）》 (Journal of Xiangtan Normal University (Natural Science Edition))

年 卷 期：2002年第24卷第3期

页      码：64-66页

摘      要：主要对硅集成传感器的理论设计进行了分析和探讨。

主 题 词：硅集成压力传感器 设计 硅膜片 挠度 灵敏度 微加工 电容传感元件 硅压阻式模型 

学科分类：080202[080202] 08[工学] 0802[工学-机械学] 

馆 藏 号：203244032...