GaAs微条粒子探测器的辐照特性

作     者：邵传芬 朱美华 史常忻 

作者机构：上海交通大学微电子技术研究所上海200030 上海交通大学物理系上海200030 

基　　金：上海市自然科学基金资助项目 (批准号 :99ZD14 0 0 5 )~~ 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2003年第24卷第2期

页      码：221-224页

摘      要：设计了一种能经受高能粒子辐照的 Ga As微条粒子探测器 .该探测器结构采用金属 -半导体 -金属结构 ,其主要几何尺寸是 :微条长度为 17mm ,宽度分别为 2 0、5 0、10 0、2 0 0、30 0μm .该探测器在经受电子、中子、γ射线、X射线等高能粒子辐照后 ,表面金属光亮无损 ,反向击穿电压最高可达 180 V,在反偏电压 80 V时 ,反向暗电流密度低达31n A/mm2 .探测器的最小条宽为 2 0μm.

主 题 词：GaAs微条粒子探测器 辐照特性 高能粒子辐照 金属-半导体-金属结构 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2003.02.022

馆 藏 号：203244113...