大功率宽面808nm GaAsP/AlGaAs量子阱激光器分别限制结构设计

作     者：王俊 马骁宇 林涛 郑凯 冯小明 Wang Jun;Ma Xiaoyu;Lin Tao;Zheng Kai;Feng Xiaoming

作者机构：中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心北京100083 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2005年第26卷第12期

页      码：2449-2454页

摘      要：本文对有源区条宽100μm的GaAsP/AlGaAs808nm量子阱激光器分别限制结构进行了理论分析和设计.选取了三种情况的波导层和限制层的铝组分,分别计算和分析了波导层厚度与激光器光限制因子、最大出光功率、垂直发散角和阈值电流密度的函数关系.根据计算结果可知:当波导层和限制层铝组分为0.4和0.5时,采用窄波导结构可以获得器件的最大输出功率为11.2W,发散角为19°,阈值电流密度为266A/cm2;采用宽波导结构可以得到器件的最大输出功率为9.4W,发散角为32°,阈值电流密度为239A/cm2.

主 题 词：大功率808nm半导体激光器 GaAsP/AlGaAs量子阱激光器 分别限制异质结构 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2005.12.034

馆 藏 号：203247616...