发射极δ掺杂的InGaAs/InP DHBT的特性分析

作     者：陈雷东 曹俊诚 齐鸣 徐安怀 李爱珍 

作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 

出 版 物：《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)

年 卷 期：2003年第9卷第4期

页      码：443-447页

摘      要：设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N^+掺杂复合结结构。考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了δ掺杂浓度和N^+、n^-层厚度等参数变化对InGaAs/InP DHBT电流、I-V输出特性、电流增益的影响,计算结果表明,随着这些参数值增大,InGaAs/InP DHBT输出特性逐渐改善。当δ掺杂浓度大于2×10^(12)cm^(-3)时,电流增益趋于饱和。

主 题 词：InGaAs/InPDHBT δ掺杂层 阻挡层 复合集电极 I-V输出特性 双异质结晶体管 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.016

馆 藏 号：203248148...