光子存储单元的光伏效应

作     者：卞松保 李桂荣 唐艳 胡冰 李月霞 杨富华 郑厚植 

作者机构：中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 

基　　金：国家重点基础研究计划 (G0 0 1CB3 0 95 ) 国家高技术发展研究计划资助项目 ( 2 0 0 2AA3 0 2 10 4) 

出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)

年 卷 期：2004年第23卷第3期

页      码：205-207页

摘      要：报道了光存储效应在一种特殊设计的光存储单元Ⅰ Ⅴ特性上的响应 .当单元偏置在光存储模式下 ,越过禁带的光激发会产生一个台阶状的电流阶跃 .利用瞬态光电流测试装置测量电流阶跃处的瞬态响应 ,验证了“开关”光电流下降沿主要反映了光照消失后原先被存储起来的电子、空穴的衰变过程 .其时间常数是光存储时间的一种度量 ,而光照下所出现的台阶状电流阶跃则是光子存储效应在Ⅰ

主 题 词：光子存储 光伏效应 Ⅰ-Ⅴ特性 禁带宽度 瞬态响应 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1001-9014.2004.03.012

馆 藏 号：203248420...