基于当代DRAM结构的存储器控制器设计

作     者：欧阳伟 张琦滨 OUYANG Wei;ZHANG Qi-bing

作者机构：江南计算技术研究所无锡214083 

出 版 物：《微计算机信息》 (Control & Automation)

年 卷 期：2008年第24卷第11期

页      码：305-306页

摘      要：存储器带宽以及延迟与3D架构(体、行、列)特点的DRAM芯片的存取方式紧密相关。连续访问一行的不同列与连续访问一体的不同行其带宽存在数量级的差异。本文介绍一种存储器控制器设计,一项依靠重排序存储器存取访问的顺序来挖掘3D存储器架构局部性的技术。

主 题 词：3D架构 存储器控制器 局部性 

学科分类：08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1008-0570.2008.11.124

馆 藏 号：203249703...