一种超低功耗的低电压全金属氧化物半导体基准电压源

作     者：王玉伟 张鸿 张瑞智 WANG Yuwei;ZHANG Hong;ZHANG Ruizhi

作者机构：西安交通大学微电子学院西安710049 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61474092) 陕西省科技计划资助项目(2014K05-14) 

出 版 物：《西安交通大学学报》 (Journal of Xi'an Jiaotong University)

年 卷 期：2017年第51卷第8期

页      码：47-52,76页

摘      要：针对传统带隙基准电源电压高、功耗高和面积大的问题,提出了一种超低功耗的低电压全金属氧化物半导体(MOS)基准电压源。该基准源通过电压钳制使MOS管工作在深亚阈值区,利用亚阈值区MOS管的阈值电压差补偿热电势的温度特性,同时采用负反馈提高了电压源的线性度与电源抑制比。整个电压源电路采用SMIC 0.18μm互补金属氧化物半导体工艺设计,仿真结果表明:基准电压源的电源电压范围可达0.5~3.3V,线性调整率为0.428%V-1,功耗最低仅为0.41nW;在1.8V电源电压、-40~125℃温度范围内,温度系数为4.53×10-6℃-1,输出电压为230mV;1kHz下电源抑制比为-60dB,芯片版图面积为625μm2。该基准电压源可满足植入式医疗、可穿戴设备和物联网等系统对芯片的低压低功耗要求。

主 题 词：基准电压源 超低功耗 低电压 全金属氧化物半导体 亚阈值 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.7652/xjtuxb201708008

馆 藏 号：203254063...