一种应用于MOCVD的3波长在线红外测温方法

作     者：杨超普 李春 方文卿 刘苾雨 刘明宝 周春生 Yang Chaopu;Li Chun;Fang Wenqing;Liu Biyu;Liu Mingbao;Zhou Chunsheng

作者机构：商洛学院化学工程与现代材料学院陕西商洛726000 陕西省尾矿资源综合利用重点实验室陕西商洛726000 南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心江西南昌330047 

基　　金：国家863高科技研究发展计划资助项目(2011AA03A101) 陕西省尾矿资源综合利用重点实验室开放基金项目(2014SKY-WK012) 陕西省教育厅专项科研计划项目(16JK1241) 商洛市科技计划项目(SK2015-29) 

出 版 物：《应用光学》 (Journal of Applied Optics)

年 卷 期：2017年第38卷第4期

页      码：655-659,678页

摘      要：根据金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在线红外测温的发展需要,提出一种3波长免探测孔有效面积校准和反射率修正的测温方法。给出了探测1 300nm、1 150nm、940nm 3波长的在线测温探头设计方案和光路图,将该探头应用于THOMAS SWAN CCS MOCVD 5.08cm(2英寸)Si(111)衬底上生长10μm GaN外延层的在线测温。测量结果表明:在700℃~1 100℃范围内,探头多次测量的重复性误差在1.0℃内,在950℃~1 100℃范围内,以EpiTT红外测温仪为参考,探头测温精度在1℃内,距离容差性为2mm。该探头应用于我国自主研发的MOCVD 5.08cm Si(111)衬底上生长InGaN/GaN MQW结构蓝光LED外延片,可得最低测温量程为435℃,nGaN生长过程中测量噪声为0.75℃。结果分析表明:该3波长免修正在线红外测温法对于高质量单层薄膜外延生长具有一定可行性,对于多层复杂结构外延生长需要进一步改进。

主 题 词：MOCVD 在线监测 红外测温 外延 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 080704[080704] 08[工学] 0807[工学-电子信息类] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.5768/JAO201738.0406002

馆 藏 号：203254160...