碳化硅MOSFET用于500V低压直流断路器的可行性研究

作     者：丁锐 石新春 Ding Rui;Shi Xinchun

作者机构：华北电力大学新能源与电力系统国家重点实验室河北保定071003 

基　　金：中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2016MS85) 

出 版 物：《电测与仪表》 (Electrical Measurement & Instrumentation)

年 卷 期：2017年第54卷第14期

页      码：64-69页

摘      要：碳化硅MOSFET具有低导通损耗、开断速度快、耐高温等优点,其优异的开断性能是研制低压直流断路器的理想选择。从现有直流电压等级、绝缘水平和用电安全等角度确定断路器的工作电压等级,并搭建简易低压直流电路模型,估算模型中的各元件参数。在此基础上对断路器正常和短路两种状态下的过电压进行计算,同时根据厂家提供的碳化硅MOSFET参数及特性曲线,利用仿真软件saber建立模型,进行操作过电压分析。并设计两种过电压保护电路使Si C-MOSFET更加安全可靠工作,证明碳化硅MOSFET用于500 V直流断路器的可行性。

主 题 词：碳化硅MOSFET 直流断路器 直流电路模型 操作过电压 过电压保护电路 

学科分类：080802[080802] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

馆 藏 号：203254224...