超高宽深比结构氮化硅波导的研究

作     者：杨聚朋 刘惠兰 冯丽爽 王琪伟 杨照华 YANG Jupeng;LIU Huilan;FENG Lishuang;WANG Qiwei;YANG Zhaohua

作者机构：北京航空航天大学光电技术研究所微纳测控与低维物理教育部重点实验室北京100191 

基　　金：国家自然科学基金项目(61473022) 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2017年第38卷第4期

页      码：478-482页

摘      要：超高宽深比结构氮化硅波导具有低损耗和高偏振消光比的优异性能,是抑制集成光学陀螺中偏振噪声的可行性方案。文章基于FEM和FDTD方法对氮化硅波导的模场分布、弯曲损耗及光纤插入损耗进行了仿真分析,通过对波导截面结构的设计优化,并采用LPCVD和RIE微纳工艺在石英基底上成功制备了宽深比高达100的单模氮化硅波导。表征及通光测试验证了工艺可行性,对一长为12mm的氮化硅直波导测试得偏振消光比达3dB。研究结果对超高宽深比氮化硅波导在集成光学陀螺及相关偏振器件中的应用研究具有一定意义。

主 题 词：光波导 氮化硅 宽深比 偏振 光学陀螺 

学科分类：070207[070207] 07[理学] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.16818/j.issn1001-5868.2017.04.003

馆 藏 号：203254454...