高速SiC MOSFET开关特性的测试方法

作     者：梁美 李艳 郑琼林 赵红雁 Liang Mei;Li Yan;Zheng Trillion Q;Zhao Hongyan

作者机构：北京交通大学电气工程学院北京100044 

出 版 物：《电工技术学报》 (Transactions of China Electrotechnical Society)

年 卷 期：2017年第32卷第14期

页      码：87-95页

摘      要：为正确地评估高速SiC MOSFET的开关特性,基于双脉冲测试平台对精准的测试方法进行研究。首先,仿真证明电路中寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响,优化设计PCB布局以减小寄生电感,对比PCB布局优化前后的测试结果。其次,对比分析续流二极管的结电容以及负载电感的寄生电容对SiC MOSFET开通特性的影响。然后,对比分析使用不同带宽的非隔离电压探头、不同电压探头地线连接方式、不同电流测试设备对测试结果的影响,并说明电压与电流波形之间相位延迟对开关能量损耗的影响。最后,对比分析不同测试点对测试结果的影响。

主 题 词：测试方法 开关特性 高速SiC MOSFET 寄生参数 

学科分类：080804[080804] 080805[080805] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.L70526

馆 藏 号：203254552...