一种抗辐射高压MOSFET驱动器的设计

作     者：王鹏 徐青 杭丽 付晓君 WANG Peng;XU Qing;HANG Li;FU Xiaojun

作者机构：中国电子科技集团公司第24研究所重庆400060 

出 版 物：《太赫兹科学与电子信息学报》 (Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology)

年 卷 期：2016年第14卷第6期

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摘      要：在航天和核物理技术中对抗辐射高压功率电路的需求也越来越强烈。介绍了一种抗辐射高压金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器的设计,该电路基于0.5μm双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺研制,采用特殊的线路结构,并通过版图设计对闩锁效应、场区和电参数进行抗辐射加固,抗总剂量辐射效应可达到300 krad(Si)。同时,该电路工作电压可达40 V,兼容逻辑门电路(TTL)/互补金属氧化物半导体(CMOS)输入,输出峰值电流1.5 A,可广泛用于航天、核物理实验装备等功率驱动部位。

主 题 词：抗辐射加固 金属氧化物半导体场效应管驱动器 高压集成电路(IC) 双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体工艺 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.11805/TKYDA201606.0972

馆 藏 号：203254639...