宽带微波单片正交混频器的设计

作     者：罗光 徐锐敏 

作者机构：电子科技大学极高频复杂系统国防重点学科实验室成都611731 

出 版 物：《微波学报》 (Journal of Microwaves)

年 卷 期：2016年第32卷第S1期

页      码：287-290页

摘      要：本文采用WIN 0.15um GaAs PHEMT工艺设计了一款6~10GHz的微波无源单片集成正交混频器。由于在本振端和射频端都采用了螺旋型的Marehand巴伦结构,从而使芯片面积得到了极大的改善,芯片的总面积为1.5mm×1.15mm。在所要求的频率范围之内,ADS仿真结果表明:变频损耗小于10d B,典型值为7d B;镜频抑制大于25d B,典型值是35d B;LO到RF的隔离度大于40d B,本振到中频的隔离度大于20d B,射频到中频的隔离度大于30d B。

主 题 词：正交混频器 镜频抑制 变频损耗 单片微波集成电路 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

馆 藏 号：203254672...