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AlGaN异质结p-i-n型雪崩探测器

AlGaN异质结p-i-n型雪崩探测器

作     者:和浩田 李兰 王璇伟 邵振广 于海林 冯金福 刘玉申 HE Haotian;LI Lan;WANG Xuanwei;SHAO Zhenguang;YU Hailin;FENG Jinfu;LIU Yushen

作者机构:常熟理工学院物理与电子工程学院江苏常熟215500 

基  金:国家自然科学基金应急管理项目"AlGaN日盲雪崩光电探测器的极化与离化工程协同调控研究"(61640407) 

出 版 物:《常熟理工学院学报》 (Journal of Changshu Institute of Technology)

年 卷 期:2017年第31卷第4期

页      码:8-11页

摘      要:高增益AlGaN日盲雪崩探测器在国防安全与生命科学领域有重要的应用价值.本文通过引入Al_(0.2)Ga_(0.8)N/Al_(0.4)Ga_(0.6)N异质结设计,将雪崩电压从79.3 V降低到73 V,雪崩增益从1.9×10~6提高到4.8×10~6.通过数值模拟分析发现,异质界面极化电场与外加偏压方向一致,将高Al组分区域电场增强,从而降低了雪崩电压;虽然极化电场将低Al组分区域电场强度降低,但低Al组分区域离化系数大于高Al组分区域的离化系数约一个量级,空穴在高Al组分区域加速获得能量,在离化系数较高的低Al组分区域离化雪崩,提高了器件增益.

主 题 词:雪崩探测器 AlGaN 异质结 

学科分类:070207[070207] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

D O I:10.16101/j.cnki.cn32-1749/z.2017.04.003

馆 藏 号:203254975...

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