5～10GHz MMIC低噪声放大器

作     者：孙昕 陈莹 陈丽 李斌 Sun Xin;Chen Ying;Chen Li;Li Bin

作者机构：中国科学院上海天文台上海200030 中国科学院大学北京100049 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(11473060 11590784) 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA123601) 科技部国际合作专项资助项目(2015DFA10720) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2017年第42卷第8期

页      码：569-573,597页

摘      要：采用稳懋公司150 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款5~10 GHz单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)。该LNA采用三级级联结构,且每一级采用相同的偏压条件,电路的低频工作端依靠电容反馈,高频工作端依靠电阻反馈调节阻抗匹配,从而实现宽带匹配,芯片面积为2.5 mm×1 mm。测试结果表明,工作频率为5~10 GHz,漏极电压为2.3 V,工作电流为70 m A时,LNA的功率增益达到35 dB,平均噪声温度为82 K,在90%工作频段内输入输出回波损耗优于-15 dB,1 dB压缩点输出功率为10.3 dBm,仿真结果与实验结果具有很好的一致性。

主 题 词：低噪声放大器(LNA) 单片微波集成电路(MMIC) 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 宽带 

学科分类：080903[080903] 080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.08.002

馆 藏 号：203255056...