超低功耗无片外电容的低压差线性稳压器

作     者：陈琛 孙可旭 冯建宇 奚剑雄 何乐年 CHEN Chen;SUN Ke-xu;FENG Jian-yu;XI Jian-xiong;HE Le-nian

作者机构：浙江大学超大规模集成电路设计研究所浙江杭州310027 南卫理公会大学电子工程系 

基　　金：浙江省重点科技计划资助项目(2014C31054) 

出 版 物：《浙江大学学报（工学版）》 (Journal of Zhejiang University：Engineering Science)

年 卷 期：2017年第51卷第8期

页      码：1669-1675页

摘      要：为了减小无片外电容低压差线性稳压器(LDO)的功耗并提高稳定性,提出带有阻抗衰减缓冲器的LDO.该LDO主环路采用三级运放结构,具有动态偏置并联反馈结构和摆率增强电路的缓冲器作为中间级,驱动PMOS功率管.使用嵌套密勒补偿方式(NMC),将低频主极点放置在第一级输出,将缓冲器输出极点和LDO输出极点作为次极点构成极点-极点追踪,达到无片外电容LDO稳定性和瞬态响应的要求.芯片采用GSMC公司的130nm CMOC工艺模型设计并经流片测试.测试结果表明:在1.6~4V输入电压下,输出1.5V电压,最大输出电流为1.5mA时静态电流小于881nA.测试结果验证了设计要求.

主 题 词：低压差线性稳压器 超低功耗 无片外电容 嵌套密勒补偿(NMC) 阻抗衰减缓冲器 

学科分类：080903[080903] 0810[工学-土木类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 081001[081001] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3785/j.issn.1008-973X.2017.08.025

馆 藏 号：203255151...