基于双向可控硅的强鲁棒性静电防护器件

作     者：张峰 刘畅 黄鲁 吴宗国 ZHANG Feng;LIU Chang;HUANG Lu;WU Zong-guo

作者机构：中国科学技术大学信息科学技术学院安徽合肥230026 中国科学院自动化研究所国家专用集成电路设计工程技术研究中心北京100190 

出 版 物：《浙江大学学报（工学版）》 (Journal of Zhejiang University：Engineering Science)

年 卷 期：2017年第51卷第8期

页      码：1676-1680页

摘      要：针对双向可控硅(DDSCR)器件的静电放电(ESD)鲁棒性,提出在N阱中加入N+注入区(DDSCR_N+)和在N阱中加入P+注入区(DDSCR_P+)2种改进型DDSCR结构,采用华润上华0.5μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺,分别制备传统DDSCR结构以及2种改进型DDSCR结构,通过半导体工艺及器件模拟工具(TCAD)进行仿真,分析不同结构的电流密度和ESD鲁棒性差异;流片后通过传输线脉冲测试(TLP)方法测试不同结构ESD防护器件特性.仿真和测试结果表明,改进型DDSCR_N+结构在具有和传统DDSCR器件的相同的触发和维持电压前提下,二次击穿电流比传统的DDSCR结构提高了160%,ESD鲁棒性更强,适用范围更广.

主 题 词：静电放电(ESD) 双向可控硅(DDSCR) TCAD仿真 传输线脉冲测试 二次击穿电流 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3785/j.issn.1008-973X.2017.08.026

馆 藏 号：203255225...