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多靶直流磁控共溅射系统的研制

多靶直流磁控共溅射系统的研制

作     者:刘兴钊 杨邦朝 贾宁明 李言荣 

作者机构:电子科技大学信息材料工程学院 

出 版 物:《真空电子技术》 (Vacuum Electronics)

年 卷 期:1997年第10卷第2期

页      码:29-31页

摘      要:本文报道了多靶直流磁控共溅射系统的设计及性能,三个直流磁控溅射枪呈120°空间角分布于真空罩上,并聚焦于基板中心,靶的有效直径为φ50mm,靶平面的法线与基板的法线成60°夹角,基板可绕中心轴旋转。该系统中生长出φ70mm范围内膜厚均匀的大面积薄膜,特别适合于制备大面积、多组元金属氧化物薄膜及合金薄膜。

主 题 词:多靶 磁控溅射 共溅射系统 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D O I:10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.1997.02.007

馆 藏 号:203255312...

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