磁性隧道结电子输运特性的研究

作     者：黄政 胡浩 HUANG Zheng;HU Hao

作者机构：贵州大学光电子技术及应用重点实验室贵阳550025 

基　　金：国家自然科学基金项目(10865003) 贵州省科学技术基金(黔科合J字2103号) 

出 版 物：《原子与分子物理学报》 (Journal of Atomic and Molecular Physics)

年 卷 期：2012年第29卷第2期

页      码：345-349页

摘      要：在Slonczewsik自由电子理论模型下,研究了两铁磁性金属电极被一平面磁性势垒隔开的磁性隧道结零偏压下的隧穿电导、自旋极化率和隧穿磁阻比率,研究表明隧道结的磁结构对隧穿电导和隧穿磁阻的值有很大的影响,当两磁性电极分子场方向相同,且都与势垒层分子场反平行时,隧穿电导数值达到最大,两者平行时,其数值最小,同时还分析了分子场的相对取向等对磁性隧道结自旋极化电子输运性质的影响.研究结果对自旋电子器件的设计具有一定的指导意义.

主 题 词：隧道结 隧穿电导 透射系数 

学科分类：07[理学] 0809[工学-计算机类] 070205[070205] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-0364.2012.02.026

馆 藏 号：203257402...