三环喹唑啉及其衍生物的电荷传输性质研究

作     者：陈自然 CHEN Zi-Ran

作者机构：四川职业技术学院建筑与环境工程系遂宁629000 

基　　金：四川省科技厅科技支撑项目(2011ZG0247) 四川省教育厅重点项目(11ZA206) 

出 版 物：《四川大学学报（自然科学版）》 (Journal of Sichuan University(Natural Science Edition))

年 卷 期：2012年第49卷第3期

页      码：639-643页

摘      要：使用电荷传输的半经典模型Marcus和密度泛函理论(DFT)方法,在B3LYP/6-31G^(**)水平上对三环喹唑啉及其衍生物分子的电荷传输性质进行理论研究.结果显示,硫甲基取代分子的空穴传输和电子传输速率常数相当,速率常数为1.77×10^(12)s^(-1),预示可设计成空穴传输和电子传输材料.羟基取代、烷氧基取代、巯基取代分子的空穴传输载流子迁移率μ_+与速率常数k_+,比苯并菲(TOH)和六氮杂苯并菲(HATOH)液晶分子约大1个数量级,比其电子传输大近2个数量级,显示选择三环喹唑啉为刚性中心核合成盘状液晶半导体材料有助于空穴传输,可作为良好的空穴传输材料.

主 题 词：三环喹唑啉 电荷传输性质 液晶半导体 密度泛函理论 

学科分类：081704[081704] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 070303[070303] 0703[理学-化学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.0490-6756.2012.03.030

馆 藏 号：203257460...