多管下降炉生长Bi_4Ge_3O_(12)单晶的温场与界面

作     者：韩尧 胡少勤 史榜春 HAN Yao;HU Shao-qin;SHI Bang-chun

作者机构：四川压电与声光技术研究所重庆400060 

出 版 物：《压电与声光》 (Piezoelectrics & Acoustooptics)

年 卷 期：2000年第22卷第5期

页      码：329-331页

摘      要：采用 2种不同的炉膛结构设计。温场试验表明温场条件同炉膛结构密切相关。克服了各管的温场差异 ,获得良好的界面热环境。经过多次晶体生长试验 ,得到了理想的微凸界面 ,生长出高质量的 Bi4Ge3 O1 2 单晶。

主 题 词：多管下降炉 温场 凸界面 单晶 晶体生长 

学科分类：07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-2474.2000.05.015

馆 藏 号：203257840...