基于90nm CMOS工艺的超宽带分布式混频器设计

作     者：谢仁贵 王维波 陶洪琪 张斌 Xie Rengui;Wang Weibo;Tao Hongqi;Zhang Bin

作者机构：南京电子器件研究所南京210016 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2014年第39卷第11期

页      码：808-811,860页

摘      要：摘要：基于TSMC 90nm CMOS工艺设计了一款18～100GHz的超宽带无源漏极混频器，混频器采用了均匀分布式结构，通过牺牲延迟来获得超宽带带宽。同时，提出了一种栅极电压优化技术，通过优化偏置电压Vcs来最小化CMOS混频器的传输损耗。混频器带宽为18—100GHz，带宽内变频损耗为（4±1）dB，端口隔离度优于15dB，45GHz处1dB压缩点输入功率为4dBm，芯片面积仅为0．36mm^2该混频器在低功耗的环境下具有良好的变频损耗性能，非常适合用在低功耗的通信系统当中。

主 题 词：分布式 漏极 无源 超宽带 低功耗 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.11.002

馆 藏 号：203258641...