一种极低静态电流LDO线性稳压器的设计

作     者：杨学硕 陆铁军 宗宇 

作者机构：北京微电子技术研究所北京100076 

出 版 物：《现代电子技术》 (Modern Electronics Technique)

年 卷 期：2015年第38卷第20期

页      码：125-128页

摘      要：在此设计一个具有560 n A静态电流、150 m A驱动能力的低压差线性稳压器。该LDO采用TSMC 0.18μm混合信号CMOS工艺,输出电压是3.3 V,输入电压为3.5~5 V。低静态电流LDO电路的设计难点是频率补偿和瞬态响应,这里通过引入一个带有负反馈的动态偏置缓冲器,不仅保证了系统在空载到满载整个负载范围内的稳定性,还极大地改善了低静态电流LDO的瞬态响应问题。仿真结果表明,全负载范围内相位裕度最小为65.8°,同时最大的瞬态响应偏差小于10 m V。

主 题 词：LDO 低静态电流 频率补偿 瞬态响应 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16652/j.issn.1004-373x.2015.20.014

馆 藏 号：203259002...