基于π型多晶硅电阻网络的片上衰减器

作     者：郭昕 李孟委 龚著浩 刘泽文 GUO Xin;LI Mengwei;GONG Zhuhao;LIU Zewen

作者机构：清华大学微电子学研究所北京100084 

基　　金：国家自然科学基金面上项目(91023040) 

出 版 物：《清华大学学报（自然科学版）》 (Journal of Tsinghua University(Science and Technology))

年 卷 期：2015年第55卷第11期

页      码：1264-1268页

摘      要：为了满足衰减器低成本、小尺寸和可重用的发展需求,提出一种基于π型多晶硅电阻网络的宽频带（0-20GHz）片上衰减器。对精确控制多晶硅方块电阻（40-400Ω/sq）进行研究,通过控制硼B离子的掺杂浓度（5×1018-1.4×1020cm-3）和热退火条件（950-1 050℃,10-30min）,得出薄膜方块电阻随工艺条件的变化规律,方阻误差小于4%。结合片上衰减器的尺寸需求选择方阻,设计了10和20dB片上衰减器,采用HFSS三维建模软件对器件进行仿真优化。仿真结果表明：在0-20GHz内,10dB衰减器的衰减精度为0.26dB,电压驻波比（VSWR）小于1.13;20dB衰减器的衰减精度为0.04dB,VSWR小于1.29。电阻网络的面积均为265μm×270μm,衰减器尺寸小于1 000μm×800μm。所设计的片上衰减器精度高,适用于微波测试仪器前端。

主 题 词：多晶硅电阻 电阻衰减网络 片上衰减器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.16511/j.cnki.qhdxxb.2015.21.002

馆 藏 号：203259123...