基于PDSOI的锁相环电路单粒子瞬变敏感性研究

作     者：于猛 曾传滨 闫薇薇 李博 高林春 罗家俊 韩郑生 YU Meng;ZENG Chuan-bin;YAN Wei-wei;LI Bo;GAO Lin-chun;LUO Jia-jun;HAN Zheng-sheng

作者机构：中国科学院大学北京100029 中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院硅器件技术重点实验室北京100029 

基　　金：国家自然科学基金项目(61404161) 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2017年第34卷第8期

页      码：76-81页

摘      要：分析了一款基于0.35μm PDSOI工艺的锁相环(PLL)电路的抗单粒子瞬变(SET)能力,利用相位抖动为表征参数评估SET对PLL电路的影响与产生影响的可能性.电路级仿真采用优化过的SET注入模型,提高了仿真预测的准确程度.分析了PLL电路的SET敏感节点与敏感工作状态,仿真与激光测试表明,分频器(DIV)与输出低压正发射极耦合逻辑(LVPECL)是最敏感的电路模块,其内部节点的敏感性与节点分布和电路工作状态关系密切.最恶劣情况下相位抖动可达输出周期的一半左右,分析结果有助于抗SET加固设计.

主 题 词：单粒子瞬变 锁相环 辐射效应 相位抖动 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2017.08.016

馆 藏 号：203259543...