一种新型宽发射材料的合成及其光电性能研究

作     者：施昆雁 席昭洋 陈柳青 文平 张跳梅 王忠强 赵波 梁效中 孙鹏 曹亚雄 王华 刘旭光 许并社 SHI Kunyan;XI Zhaoyang;CHEN Liuqing;WEN Ping;ZHANG Tiaotnei;WANG Zhongqiang;ZHAO Bo;LIANG Xiaozhong;SUN Peng;CAO Yaxiong;WANG Hua;LIU Xuguang;XU Bingshe

作者机构：太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室太原030024 太原理工大学材料科学与工程学院太原030024 太原理工大学化学化工学院太原030024 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61307030 61307029 51503022) 国家自然科学基金青年基金资助项目(61605137) 中国教育部大学新世纪优秀人才计划资助项目(NCET-13-0927) 山西省科技创新研究队伍资助项目(201513002-10) 山西省自然科学基金资助项目(2015021070 201601D011031 201601D021050) 电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金资助项目(KFJJ201507) 山西省高等学校科技创新资助项目(2016134) 

出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期：2017年第48卷第8期

页      码：63-66,73页

摘      要：以2-噻吩甲醛、苯胺及方酸为原料合成了一种新型含噻吩基方酸菁衍生物的宽发射有机电致发光材料——1,3-二(苯基噻吩氨基)方酸(SQ),通过核磁共振、红外光谱和元素分析确定其分子结构。并研究了其光物理性能。研究发现,SQ薄膜的发射光谱位于517nm,半峰宽105nm。将其作为发射材料首次制备了结构为ITO/MoO3(3nm)/NPB(20nm)/SQ(15nm)/TPBi(27nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的发光器件,得到了峰位在520nm,半峰宽为132nm的宽发射光谱。利用其宽发射特性,进一步设计白光器件,其结构为ITO/MoO3(3nm)/CBP(23nm)/TPBi∶SQ(5%,15nm)/TPBi(27nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),此器件启亮电压为5V,最大亮度为124cd/m^2(at 13V),最大电流效率为0.12cd/A,CIE为(0.30,0.33)。结果表明,通过在TPBi主体材料中掺杂SQ,利用主客体材料之间发生能量不完全传递,可实现色饱和度好的白光发射。

主 题 词：异方酰胺 有机电致发光 白光 宽发射 

学科分类：081704[081704] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 070305[070305] 080501[080501] 070303[070303] 0805[工学-能源动力学] 0703[理学-化学类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-9731.2017.08.011

馆 藏 号：203260384...