宽输入范围低线性调整率带隙基准的设计

作     者：陈锡明 吴勃庆 邓超 康瑞 CHEN Xi-ming WU Bo-qing DENG Chao KANG Rui

作者机构：西安电子科技大学电路CAD研究所陕西西安710071 

出 版 物：《通信电源技术》 (Telecom Power Technology)

年 卷 期：2017年第34卷第4期

页      码：87-89,92页

摘      要：文中提出了一款基于0.35μm BCD工艺的宽输入范围带隙基准。与传统带隙基准不同,所提出的带隙基准使用基准输出为运算放大器提供偏置,采用耐高压的LDMOS器件,设计实现了一款宽输入范围低线性调整率的带隙基准。利用Spectre对该电路进行了仿真验证。仿真结果表明:在4~35 V输入范围内,该基准的线性调整率仅为0.74μV/V,电源电压抑制比为-110 dB,温度系数为22.3μV/℃,静态电流为10.15μA。

主 题 词：带隙基准 低线性调整率 宽电源电压范围 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19399/j.cnki.tpt.2017.04.037

馆 藏 号：203260580...