FinFET静电可靠性及新型Fix-base SOI FinFET研究

作     者：姜一波 王晓磊 徐曙 顾刘强 韩宇峰 魏义 李辉 JIANG Yibo;WANG Xiaolei;XU Shu;GU Liuqiang;HAN Yufeng;WEI Yi;LI Hui

作者机构：常州工学院江苏常州213032 中国科学院微电子研究所北京100029 

基　　金：江苏省高等学校自然科学研究项目(17KJB416001) <江苏高校品牌专业建设工程资助项目(PPZY2015B129)> <江苏省电气工程及其自动化品牌专业建设一期工程项目> "><江苏省"电气工程"省重点建设学科> "><江苏省高校"特种电机研究与应用"重点建设实验室> <基于22nm制程以下FinFET静电防护机理研究>等项目资助 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2017年第37卷第4期

页      码：271-274页

摘      要：在鳍型场效应晶体管(SOI FinFET)相关静电防护技术研究基础上,提出了一种新型的体区接触固定型绝缘体上硅鳍型场效应晶体管泄放钳位装置(Fix-base SOI FinFET Clamp)。该新型结构的器件解决了基区接触浮空在静电防护设计时引起的一系列问题,而且对正常的FinFET工艺具有良好的兼容性。通过计算机辅助工艺设计(TCAD)仿真论证了Fix-base SOI FinFET Clamp具有明显效果,详细阐述和讨论了SOI FinFET和Fix-base SOI FinFET Clamp工作状态下的电流和热分布。

主 题 词：静电可靠性 绝缘体上硅 鳍型场效应晶体管 体区固定型绝缘体上硅鳍型场效应晶体管泄放钳位装 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.19623/j.cnki.rpsse.2017.04.010

馆 藏 号：203260771...