噻吩环取代掺杂一维共轭碳基材料的电子输运

作     者：贺园园 程娜 赵健伟 He Yuanyuan Cheng Na Zhao Jianwei

作者机构：嘉兴学院材料与纺织工程学院中澳先进材料与制造研究院嘉兴314001 

出 版 物：《化学学报》 (Acta Chimica Sinica)

年 卷 期：2017年第75卷第9期

页      码：893-902页

摘      要：一维共轭碳基材料以苯环为基本单元,具有优越的导电性,分子光电器件的发展要求其在高导电性的前提下兼具富电子或少电子特征.本工作设计了噻吩环取代掺杂一维共轭碳基材料的寡聚苯并[1,2-b:4,5-b ]二噻吩(BmT)和寡聚噻吩(TnP)分子模型,利用密度泛函理论结合非平衡格林函数方法研究了掺杂位置和掺杂程度对其输运行为的影响.噻吩环在一维共轭碳基材料上的取代掺杂有效提升了材料的电子输运效率.BmT和TnP分子的导电特性随分子长度的变化表明分子的共轭程度决定了电子输运效率.反式BmT和TnP分子具有多条电子传输路径,而顺式BmT和TnP分子随着分子长度增加,经历了由单条电子传输路径至多条电子传输路径的转变.该研究结果为开发高性能碳基分子电子材料提供了重要参考.

主 题 词：噻吩环 苯环 共轭碳基材料 电子输运 取代掺杂 

学科分类：081704[081704] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 070303[070303] 0703[理学-化学类] 

核心收录：

D　O　I：10.6023/A17050195

馆 藏 号：203262180...