具有单区JTE终端的3300 V 4H-SiC结势垒肖特基二极管的研制

作     者：潘艳 田亮 张璧君 郑柳 查祎英 吴昊 李永平 杨霏 PAN Yan TIAN Liang ZHANG Bijun ZHENG Liu ZHA Yiyin WU Hao LI Yongping YANG Fei

作者机构：全球能源互联网研究院北京市昌平区102209 

基　　金：国家高技术研究发展计划(863计划)项目(2014AA052401) 北京市科技计划项目(D16110300430000) 国家电网公司总部科技项目(5455GB160004) 全球能源互联网研究院项目(SGRI-GL-81-16-001) 

出 版 物：《智能电网》 (Smart Grid)

年 卷 期：2017年第5卷第8期

页      码：781-785页

摘      要：阐述了3 300 V 4H-SiC结势垒肖特基二极管(JBS)详细的设计和制备过程。4H-SiC N型外延层掺杂浓度为3.1×10^(15) cm^(-3),厚度为33μm。器件的终端采用了单区结终端扩展(JTE)结构。利用数值模拟优化了JTE结构的离子注入剂量、漂移区和有源区的结构参数,并根据模拟结果研制了4H-SiC JBS。测试结果显示,当正向导通电流达到30 A时,该器件的正向压降小于1.8 V,二级管的反向击穿电压约为4 000 V。

主 题 词：4H-SiC 功率器件 终端 JTE 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.14171/j.2095-5944.sg.2017.08.009

馆 藏 号：203262671...