SiC功率MOSFET器件研制进展

作     者：柏松 黄润华 陶永洪 刘奥 BAI Song;HUANG Run-hua;TAO Yong-hong;LIU Ao

作者机构：宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室南京电子器件研究所江苏南京210016 

出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期：2017年第51卷第8期

页      码：1-3页

摘      要：碳化硅(SiC)功率金属-氧化物半导体场效应管(MOSFET)以其优越的性能受到广泛关注,但受限于器件设计和工艺技术水平,器件的潜力尚未得到充分发挥。介绍了SiC功率MOSFET的结构设计和加工工艺,采用一氧化氮(NO)栅氧退火工艺技术研制出击穿电压为1 800 V、比导通电阻为8mΩ·cm^2的SiC MOSFET器件,测试评价了器件的直流和动态特性,关断特性显著优于Si IGBT。评估了SiC MOSFET器件栅氧结构的可靠性,器件的栅氧介质寿命及阈值电压稳定性均达到工程应用要求。

主 题 词：金属-氧化物半导体场效应管 碳化硅 可靠性 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203262827...