硅酸锆薄膜制备的研究

作     者：李聪 江伟辉 冯果 刘健敏 吴倩 劳新斌 张权 LI Cong;JIANG Weihui;FENG Guo;LIU Jianmin;WU Qian;LAO Xinbin;ZHANG Quan

作者机构：景德镇陶瓷大学材料科学与工程学院景德镇333403 国家日用及建筑陶瓷工程技术研究中心景德镇333001 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51362014 51662016 51402135) 江西省优势科技创新团队建设计划项目(20133BCB 24010) 江西省教育厅基金(GJJ150887 GJJ150919) 

出 版 物：《中国陶瓷》 (China Ceramics)

年 卷 期：2017年第53卷第9期

页      码：54-61页

摘      要：以正硅酸乙酯和氧氯化锆为硅源和锆源,去离子水为溶剂,采用溶胶-凝胶法在单晶硅表面制备了硅酸锆薄膜。利用pH计、zeta电位仪、SEM、XRD、AFM等测试手段研究了pH值、前驱体浓度对制备硅酸锆薄膜的影响,并研究了其抗四甲基氢氧化铵(TMAH)/异丙醇(IPA)腐蚀性能。结果表明:优化的pH值为0.5,对应溶胶的zeta电位最大,为43.8m V,所制备的薄膜质量最优;zeta电位随pH值的增加而减小,溶胶的稳定性和薄膜的质量也变差。当前驱体浓度小于0.6mol/L时,薄膜表面粗糙;当前驱体浓度大于0.6 mol/L时,薄膜表面出现了裂纹,且样品出现杂相。最优前驱体浓度为0.6mol/L,制得的硅酸锆薄膜可有效保护单晶硅片免受TMAH/IPA的腐蚀。

主 题 词：硅酸锆 薄膜 溶胶-凝胶法 pH值 前驱体浓度 抗腐蚀性 

学科分类：07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2017.09.010

馆 藏 号：203262954...